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SJ∕T 1834-2016年 半导体分立器件 3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范12页。
SJ∕T 3200-2016年 银钎焊接头规范10页。
SJ∕T 3172.4-2016年 铁氧体磁心的尺寸 第4部分:RM型磁心及其附件23页。
SJ∕T 2658.13-2015年 半导体红外发射二极管测量方法 第十三部分:辐射功率温度系数6。
SJ∕T 11594.2-2016年 数字电视接收终端音视频解码技术要求及测量方法 第二部分:音频。
SJ∕T 11563-2015年 网络化可信软件生产过程与环境16页。
SJ∕T 11564.4-2015年 信息技术服务运行维护 第四部分:数据中心规范44页。
SJ∕T 2658.4-2015年 半导体红外发射二极管测量方法 第四部分:总电容5页。
SJ∕T 11538-2015年 热打印头通用规范24页。
SJ∕T 11579-2016年 LED模块接口规则7页。
SJ∕T 1833-2016年 半导体分立器件 3DK103型NPN硅小功率开关晶体管详细规范12页。
SJ∕T 11363-2006年 电子信息产品中有毒有害物质的限量要求9页。
SJ∕T 11568-2016年 锂离子电池用电解液溶剂12页。
SJ∕T 11598-2016年 电子工业用氢化铝钠14页。
SJ∕T 2658.1-2015年 半导体红外发射二极管测量方法 第一部分:总则5页。
SJ∕T 11601-2016年 信息技术 非接触式二维码扫描枪通用规范22页。
SJ∕T 2658.7-2015年 半导体红外发射二极管测量方法 第七部分:辐射通量5页。
SJ∕T 11578-2016年 LED模块电光转换效率要求7页。
SJ∕T 2658.10-2015年 半导体红外发射二极管测量方法 第十部分:调制带宽6页。
SJ∕T 11608-2016年 人脸识别设备通用规范21页。