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GB∕T 6113.202-2018年 无线电骚扰和抗扰度测量设备和测量方法规范 第2-2部分:无线电。
SJ∕T 11542-2015年 立体投影机技术要求和测试方法6页。
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GB∕T 35010.7-2018年 半导体芯片产品 第七部分:数据交换的XML格式32页。
SJ∕T 1832-2016年 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范12页。
SJ∕T 11539-2015年 接触式图像传感器通用规范19页。
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GB∕T 1557-2018年 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法10页。
SJ∕T 1477-2016年 半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范12页。
SJ∕T 11558.5-2015年 LED驱动电源 第五部分:测试方法24页。
SJ∕T 11479-2014年 IP文档结构指南57页。
SJ∕T 1830-2016年 半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范13页。
SJ∕T 11553-2015年 93氧化铝真空电子用陶瓷8页。
SJ∕T 11478-2014年 IP核质量评测50页。
SJ∕T 2658.14-2016年 半导体红外发射二极管测量方法 第十四部分:结温6页。
GB∕T 30269.903-2018年 信息技术 传感器网络 第903部分:网关:逻辑接口19页。
SJ∕T 2089-2015年 电子测量仪器型号命名方法31页。
SJ∕T 2658.2-2015年 半导体红外发射二极管测量方法 第二部分:正向电压5页。
SJ∕T 1486-2016年 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范12页。